Samsung presenta el módulo de 8 GB de RAM que llevarán los móviles el año que viene
Hubo muchas críticas cuando los teléfonos de este año empezaron a equipar 6 GB de RAM, como el OnePlus 3, debido a que se decía que no era necesaria tanta cantidad de RAM en un teléfono. Lo cierto es que, en las últimas versiones de Android, sobre todo la de aquellos fabricantes que tienen capas extra, el consumo de RAM en reposo se sitúa en 2 GB de RAM, que tienen como beneficio una mejora en la velocidad del terminal.
La memoria RAM es al fin y al cabo una memoria de acceso aleatorio, y cuantas más cosas estén cargadas en ella, más rápido va a ir el terminal porque no va a tener que volver a cargarlas o abrirlas. Por ello, más RAM significa una mejor experiencia de uso general, ahorro de batería al no tener que cargar nuevamente las aplicaciones, y poder ejecutar más aplicaciones a la vez en tiempo real, ideal para la nueva función nativa de Android de multipantalla.
De 2 a 8 GB en tres años
En 2014 los teléfonos tenían 2 GB de RAM, en 2015 3 GB, y este último año se han estandarizado los 4 GB e incluso los 6 GB. Al parecer, de cara al año que viene, el salto va a ser mayor, ya que Samsung acaba de presentar un chip de 8 GB de RAM LPDDR4, que equipará la nueva generación de teléfonos móviles, y que probablemente estrenen los buques insignia que se presentarán del MWC de febrero en adelante.
La RAM de Samsung es muy utilizada por una gran cantidad de fabricantes de smartphones. El vicepresidente de la sección de memoria de Samsung ha destacado que esta cantidad de memoria RAM será muy útil para gestionar contenido de realidad virtual, contenido en 4K, y cámaras duales. Este enfoque da que pensar con respecto al Samsung Galaxy S8 del año que viene, que puede que equipe un panel 4K (o al menos la versión de 5.5 pulgadas) junto con cámaras duales.
Más rápida que la RAM DDR4 de PC
El nuevo chip de 8 GB de RAM LPDDR4 opera a 4.266 megabits por segundo, lo cual es el doble de rápido que las memorias DDR4 de ordenador, que operan a 2.133 Mbps por pin. Esta velocidad permite transmitir hasta 34 GB de datos por segundo.
El consumo de esta memoria será menor que los actuales, pues está fabricado en un proceso de 10 nanómetros, mientras que los actuales de 4 GB de RAM están fabricados en un proceso de 20 nanometros. Esto hace que, con prácticamente el mismo consumo, tenga el doble de velocidad y capacidad. El chip mide tan sólo 15 x 15 x 1 mm. Junto con la memoria interna UFS, podemos esperar teléfonos realmente rápidos el año que viene.
