El pasado mes de diciembre comentábamos que Toshiba había anunciado sus nuevas memorias flash UFS 2.1. Los móviles de gama alta actuales utilizan el estándar UFS 2.0 o 2.1. Ahora, cuando unos pocos móviles contaban con UFS 2.1, la JEDEC ha aprobado el nuevo UFS 3.0, que va a ser el doble de rápido.
UFS 3.0: el doble de velocidad que UFS 2.1
UFS 2.1 estaba disponible en memorias de 32, 64, 128 y 256 GB, con una velocidad de lectura secuencial de 900 MB/s y escritura secuencial de 180 MB/s, siempre que se hable de memorias de más de 64 GB (la de 32 GB, al tener menos chips, cuenta con menos paralelización y su velocidad es más lenta).
Ahora, UFS 3.0 (Universal Flash Storage) ha sido anunciado junto con el estándar UFS card extension 1.1. El nuevo estándar 3.0 incluye HS-G4 frente al HS-G3 del UFS 2.1, multiplicando por dos el rendimiento hasta alcanzar los 11,6 Gbps (1,45 GB/s) por canal. Se mantiene el soporte para dos canales, por lo que la velocidad máxima puede ser de 23,2 Gbps (2,9 GB/s).
No sólo móviles: UFS 3.0 está pensado también para coches
Además, se ha reducido significativamente la latencia, y se ha añadido una mayor resistencia para funcionar en un mayor rango de temperaturas, lo cual se ha hecho con los coches en mente. En concreto, las temperaturas que soporta estarán entre los -40ºC y los 105ºC. Junto con esto también se ha mejorado la operatividad de actividades repetitivas, ya que los coches están constantemente generando información, además de mejorar el rendimiento de corrección de posibles errores en el almacenamiento.
Otra ventaja que ofrecerá la versión 3.0 es que la reducción de área que ocupan será de más de la mitad, con un consumo energético un tercio menor que la versión anterior. En concreto, se ha bajado a 2,5 voltios, por los entre 2,7 y 3,6 voltios que utilizaba la especificación anterior. Gracias a todo esto se podrán hacer las placas de los móviles todavía más pequeñas, con un consumo energético más bajo y una mayor velocidad.
Samsung anunció recientemente que lanzará los primeros chips en el primer trimestre de 2018. Sin embargo, estos no llegarán a tiempo para el Galaxy S9, que probablemente hará uso de UFS 2.1. Con este último estándar lo que sí mostró Samsung es la posibilidad de crear chips de almacenamiento de 512 GB, los cuales no sería nada raro ver en este 2018 en algún terminal de gama alta. Para ver móviles con UFS 3.0 tendremos que esperar al segundo trimestre o incluso probablemente al tercero de 2018.