Este 2016 ha sido un gran año para Qualcomm. Desde que empezó su andanza en los procesadores para teléfonos móviles fue subiendo lentamente su valor en bolsa, y en 2015 cayó bastantes puntos debido al fiasco que supuso el 810 por sus problemas de temperatura, que provocó que nadie lo equipara en sus teléfonos. El Snapdragon 820 ha arreglado todo el daño que causó el 810, y ha sido todo un éxito. Ahora, Qualcomm espera repetir éxito con el nuevo Snapdragon 835.
Qualcomm salta el 830 y llega el Snapdragon 835
Qualcomm ha anunciado oficialmente el Snapdragon 835, que será el sucesor del Snapdragon 820 y su versión con overclock, el 821. De esta manera, no existirá el Snapdragon 830, y los teléfonos de gama alta que serán anunciados el próximo mes de febrero equiparán el Snapdragon 835, entre los que se encontrará el Samsung Galaxy S8.
Este nuevo procesador está fabricado en un proceso de 10 nanómetros. Qualcomm no ha dado detalles técnicos del procesador. Sólo ha dado datos comparativos del Snapdragon 820. En comparación, el Snapdragon 835 será un 30% más pequeño, ofrecerá un rendimiento un 27% superior, y consumirá un 40% menos. Estos datos de mejora son las mejoras teóricas de la reducción en el proceso de fabricación, sin haberse utilizado pruebas de rendimiento reales para comprobar la mejora de rendimiento.
Estará fabricado en un proceso de 10 nanómetros FinFET de Samsung, frente a los Snapdragon 820 y 821, que estaban fabricados en un proceso de 14 nanómetros. Por tanto, Samsung será nuevamente la encargada de fabricar los procesadores Qualcomm más potentes. Veremos si la compañía decide incluir este procesador a nivel mundial, o si por el contrario Samsung equipa el Exynos 8895 o el Snapdragon 835 en diferentes países en el Galaxy S8.
Quick Charge 4.0 para una carga aún más rápida
Una de las principales y más destacables mejoras del Snapdragon 835 es la inclusión del nuevo estándar de carga Quick Charge 4.0. Este estándar cuenta con la aprobación del USB-IF para USB Type-C y el estándar USB Power Delivery. A pesar de utilizar utilizar hasta 18 vatios como el Quick Charge 3.0, el 4.0 cargará un 20% más rápido gracias a mejoras en a la hora de adaptarse al estado y calor de la batería, reduciendo ineficiencias térmicas en el proceso de carga. Su carga será tan rápida que en Qualcomm afirman que los teléfonos ‘conseguirán 5 horas de batería con tan sólo 5 minutos de carga’.
Qualcomm irá desvelando más detalles en los próximos meses, antes de que llegue el mes de febrero donde se anuncien los primeros teléfonos de gama alta que equiparán el procesador en el Mobile World Congress de Barcelona.
